碳化硅衬底外延是什么意思?

碳化硅衬底外延是在碳化硅晶圆上生长一层新的碳化硅薄膜的技术。这层薄膜和衬底材料相同，但结构更完美。外延层可以用于制造功率器件、射频器件等半导体产品。衬底是基础，外延层是功能层，两者结合才能做出高性能器件。外延质量直接影响器件的效率和寿命，所以工艺要求极高。

外延工艺特点

外延生长需要在高温低压环境下进行，温度超过1500摄氏度。常用的方法有化学气相沉积和分子束外延。外延层厚度从几微米到几百微米不等，根据器件需求调整。生长过程中要控制杂质含量，避免缺陷。外延后的晶圆需要经过严格检测，确保薄膜均匀、无裂纹。这项技术是碳化硅器件制造的核心环节。