p型硅和n型硅有什么区别?

p型硅和n型硅是半导体材料的不同类型，主要区别在于掺杂元素和导电特性。p型硅掺入三价元素（如硼），空穴多；n型硅掺入五价元素（如磷），自由电子多。两者结合形成PN结，用于制造二极管、晶体管等电子元件。

区别

p型硅：由硅晶体掺入硼等三价元素制成，每个硼原子少一个电子，形成空穴。空穴带正电，相当于正电荷载体。p型硅导电依赖空穴移动，空穴浓度高于自由电子。常见于二极管阳极和晶体管基极，适合需要正电荷载流子的场景。

n型硅：由硅晶体掺入磷等五价元素制成，每个磷原子多一个自由电子。自由电子带负电，是主要电荷载流子。n型硅导电依赖电子移动，电子浓度远高于空穴。常用于二极管阴极和晶体管发射极，适合需要负电荷载流子的电路设计。