单晶硅和多晶硅存放有什么风险?

单晶硅和多晶硅存放时都怕潮湿和污染，但风险点不同。单晶硅表面光滑，容易吸附杂质，影响导电性；多晶硅结构疏松，吸湿性强，可能发生氧化或结块。两者都需要干燥环境，但单晶硅更注重洁净度，多晶硅则要防潮防压。

区别

单晶硅：存放风险主要来自表面污染。硅片光滑，灰尘或油污附着后难以清除，会导致电路短路或性能下降。温度变化时，热胀冷缩可能让硅片产生裂纹，尤其薄脆的晶圆更易受损。必须用无尘包装，存放环境湿度控制在40以下，避免手直接接触。

多晶硅：存放风险以吸湿和结块为主。多孔结构容易吸收空气中的水分，遇冷凝结后，硅料表面会生成氧化层，增加提纯难度。堆叠时压力过大，颗粒会粘连成块，后续使用需破碎，损耗率高达5。需密封保存，用干燥剂吸湿，堆叠高度不超过1米。