igbt和可控硅的区别?

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和可控硅都是电力电子器件，但功能不同。IGBT能快速开关，适合高频应用，如变频器；可控硅只能单向导通，用于调压和整流，开关速度慢。

区别

IGBT：一种复合型器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的大电流能力。开关速度快，工作频率可达20kHz以上，损耗小，适合现代电力设备，如新能源汽车逆变器。体积小，控制简单，但耐压能力有限，成本较高。

可控硅：一种四层三端器件，只能单向导通，需触发电流维持导通。开关速度慢，频率低于1kHz，但耐压高，可达数千伏，适合大功率场景，如电炉调压、直流调速。结构简单，抗干扰强，但关断复杂，响应慢。