场效应管和igbt有什么区别?

场效应管和IGBT都是常用的半导体开关器件，但结构和工作原理不同。场效应管是单极型器件，只靠多数载流子导电，开关速度快，驱动简单。IGBT是复合器件，结合了场效应管和双极型晶体管的特点，导通压降低，电流承载能力强，适合高压大电流场景。

区别

场效应管：由栅极、源极和漏极三部分组成，工作时只有电子或空穴一种载流子参与导电。开关速度快，损耗小，驱动电路简单，只需要电压控制。适合高频应用，如开关电源、小功率电机控制。但耐压和电流能力较弱，一般用于几百伏和几十安以下的场合。

IGBT：由栅极、集电极和发射极组成，内部包含MOSFET和双极型晶体管。导通时既有电子导电又有空穴导电，压降低，能承受几千伏电压和几百安电流。适合大功率场景，如变频器、电焊机、新能源逆变器。但开关速度较慢，驱动需要考虑关断时的负压防止误导通。