igbt和普通可控硅有什么区别?

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和普通可控硅（晶闸管）都是电力电子器件，但工作方式和应用场景不同。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的大电流能力，适合高频开关；可控硅只能控制导通和关断，频率较低，主要用于大电流场合。

区别

IGBT：属于全控型器件，通过栅极电压控制导通和关断，开关速度快（可达几十kHz），适合变频器、电机驱动等需要高频开关的场合。导通压降低，但关断时间较长，容易受温度影响。常见于新能源汽车、光伏逆变器等设备。

可控硅：属于半控型器件，只能通过门极触发导通，关断需依赖外部电路（如电流降至维持电流以下）。开关速度慢（通常低于1kHz），但能承受极高电压和电流（可达数千伏、数千安）。多用于高压直流输电、电炉调压等大功率场景。