场效应管有什么区别?

场效应管主要分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），两者在结构和工作原理上有明显区别。JFET依靠PN结的耗尽层控制电流，而MOSFET通过绝缘栅极的电场效应控制导电沟道。MOSFET输入阻抗更高，开关速度更快，适合集成电路；JFET噪声较低，线性度更好，常用于音频放大。

区别

结型场效应管（JFET）：由PN结组成，栅极与沟道直接接触，工作时需施加反向偏压。输入阻抗约10^6欧姆，适合低噪声场景，如音频前置放大。结构简单，但驱动电流能力较弱，功耗较低，工作频率一般在几兆赫兹。

金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：栅极与沟道间有二氧化硅绝缘层，通过电压控制导电沟道。输入阻抗可达10^12欧姆，开关速度快，驱动能力强，常用于电源开关和数字电路。支持多种类型（如N沟道、P沟道），工作频率可达几百兆赫兹，但工艺复杂，成本较高。